WINBOND/华邦内存闪存芯片 W631GG6NB-12

举报 2024-01-02 20:30 编号:3595 广东 - 深圳 - 宝安
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  • 名称
  • WINBOND/华邦存储IC
  • 类别
  • 记忆存储芯片
  • 地区
  • 浙江温州
  • 联系
  • 周玉军
W25Q16F系列:W25Q16FWUXIEW25Q16FWBYIGW25Q16FWSSIQW25Q16FWUUIQW25Q16FWSNIQW25Q16FWZPIQW25Q16FWSNIGW25Q16FWSSIGW25Q16FWSVIQW25Q16FWBIYG产品特性:W25Q16FW(16M 位)串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。
该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电,电流消耗低至 4mA 有效,关断电流低至 1μA。
所有器件均采用节省空间的封装。
串行闪存 – 104MHz 单通道、双通道/四通道 SPI 时钟 – 等效于 208/416MHz 双通道/四通道 SPI – 50MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。
W25Q系列是25X系列的进阶版,可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能,操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率),相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。
W25Q系列不但效能超过Parallel flash,还提供更少脚位的封装。
的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place),或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。
除此之外,部份SpiFlash支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可的传输,加快XIP的传输效率。
另外更小的封装, 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。
®WINBOND/华邦其他部分型号:W25Q16DVZPIGW25Q16FWSSIQW25Q16DVZPIQW25Q16FWSVIQW25Q16DWBYIGW25Q16FWUUAQW25Q16DWSNAGW25Q16FWUUIQW25Q16DWSSIGW25Q16FWUXIEW25Q16DWUUIGW25Q16FWZPIQW25Q16DWYS06W25Q16JLSNIGW25Q16DWZPIGW25Q16JVBYIQW25Q16FWBYIGW25Q16JVNIQWINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多信息咨询我们的销售人员。
NAND+LPDDR2系列:W71NW10GE3FWW71NW10HE3FWW71NW10HM3FWW71NW20GF3FWW71NW20KM3FWW71NW20KJ3FWW71NW42KJ3FW1Gb NAND + 512Mb LPDDR2W25N01GW产品特性:一般描述 W25N01GW(1G 位)串行 SLC NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。
待机电流低至 10μA。
W958D6DBC这是一个256M位CellularRAM™兼容产品,组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
WINBOND/华邦其他部分型号:W25Q32JWBYIQW25Q40BWZPIGW25Q32JWUUIQW25Q40CLSNIGW25Q32JWZPIQW25Q40CLSSIPW25Q40BVNIGW25Q40CLUXIGW25Q40BVSNIGW25Q40CVUXJGW25Q40BWSNIGW25Q40EWBYIGW25Q40BWUXIEW25Q40EWSNIG公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。
一般描述 :W29N02GV(2G 位)NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供存储解决方案。
它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据(如语音、视频、文本和照片)的理想选择。
该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电,3V 时有功电流消耗低至 25mA,CMOS 待机电流为 10uA。
内存阵列总计 276,824,064 字节,并组织成 2,048 个 135,168 字节的可擦除块。
每个块由 64 个可编程页面组成,每个页面 2,112 字节。
每个页面由主数据存储区域的 2,048 字节和备用数据区域的 64 字节组成(备用区域通常用于错误管理功能)。
W29N02GV 支持标准 NAND 闪存接口,使用多路复用 8 位总线传输数据、地址和命令指令。
五个控制信号(CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。
此外,该器件还有另外两个信号引脚,#WP(写保护)和 RY/#BY(就绪/忙碌),用于监控器件状态。
W25Q256FV:3 字节或 4 字节寻址模式UID 和 OTP 功能易失性和非易失性 SR单个块/扇区写保护可编程输出驱动器强度WINBOND/华邦其他部分型号:W25Q32FVTCIGW25Q32JVSSIQW25Q32FVTCIPW25Q32JVSSIQTW25Q32FVZPIGW25Q32JVSSIQ-TW25Q32FWBYICW25Q32JVTBIQW25Q32FWIG W25Q32JVTCIMW25Q32FWSSAQW25Q32JVTCIQW25Q32FWSSIGW25Q32JVXGIQW25Q32FWXGIGW25Q32JVZEIQW25Q32FWZPIGW25Q32JVZPAQW25Q32JVSIQ W25Q32JVZPIGW25Q32JVSNIQW25Q32JVZPIMW25Q32JVSSAMW25Q32JVZPIQ公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。
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